窒化けい素回路基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：波多野久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996238172
Publication number (International publication number)：1998084059
Application date： Sep. 09, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】放熱性および構造強度に優れ、冷熱サイクルが付加された場合等においても、セラミックス基板のクラック発生や強度低下を有効に防止することができ、信頼性や製造性に優れる窒化けい素回路基板を提供する。【解決手段】希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下、好ましくは0.3重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板1と、この高熱伝導性窒化けい素基板1に接合された金属板2,3とを具備する窒化けい素回路基板4Bにおいて、前記金属板2の前記高熱伝導性窒化けい素基板1との接合面と反対面側の外周縁部内側に、溝8または複数の孔9が形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備する窒化けい素回路基板において、前記金属板の前記高熱伝導性窒化けい素基板との接合面と反対面側の外周縁部内側に、溝が形成されていることを特徴とする窒化けい素回路基板。

IPC (5)：

H01L 23/14 , C04B 35/584 , H01L 23/373 , H05K 1/03 610 , H05K 3/38

FI (5)：

H01L 23/14 M , H05K 1/03 610 D , H05K 3/38 B , C04B 35/58 102 K , H01L 23/36 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-343287
特開平3-145748
セラミック回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-317750 Applicant：株式会社住友金属セラミックス

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