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J-GLOBAL ID：200903008518335649
炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004134305
Publication number (International publication number)：2005314167
Application date： Apr. 28, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、ボイド欠陥あるいは微小多結晶粒、及び、これらに起因して発生する結晶欠陥の少ない良質の大口径インゴットを再現性良く製造し得る種結晶とその製造方法及びSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】 片面が平面、他面が必ずしも平面でない炭化珪素単結晶成長用種結晶、及び、その製造方法、並びに、この種結晶を用いたSiC単結晶の結晶成長方法である。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
炭化珪素単結晶成長用種結晶の片面が平面、他の面が必ずしも平面でないことを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (5)：
4G077AA02
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077HA12
, 4G077SA01
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