炭化珪素単結晶およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998368566
Publication number (International publication number)：2000191399
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】マイクロパイプ等の欠陥の少ない炭化珪素単結晶を成長させるための炭化珪素種結晶を提供すること.【解決手段】炭化珪素単結晶の種結晶の加工に電解インプロセスドレッシング研削法を用いることにより、加工した種結晶への加工傷や、加工歪みを低減させる.

Claim (excerpt)：

種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、種結晶として電解インプロセスドレッシング研削法で加工した炭化珪素結晶を用いる事を特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法.

F-Term (6)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

SiC単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264188 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-357053 Applicant：株式会社豊田中央研究所
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-103719 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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Cited by examiner (5)

SiC単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264188 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-357053 Applicant：株式会社豊田中央研究所
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-103719 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Cited by examiner (3)

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