半導体装置、並びにその動作方法及び製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104521
Publication number (International publication number)：1998294434
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】データを書き込む場合には高速にかつ効率よく強誘電体に電圧を印加することができるとともに、データを読み出す場合には強誘電体分極の劣化を抑えること。【解決手段】ゲート絶縁膜4とドレイン領域3とが重なるゲート・ドレイン重なり部9の幅と、ゲート絶縁膜4とソース領域2とが重なるゲート・ソース重なり部8の幅との和を、ソース領域2とドレイン領域3との間のソース・ドレイン間隔10の1/4以上とする。

Claim (excerpt)：

向い合う電極間の少なくとも一部に強誘電体が挟まれて構成された強誘電体容量と、該強誘電体容量の一方の電極にゲート電極が接続されたMISFETとを有してなる半導体装置において、前記MISFETのゲート電極とドレイン領域とが重なる部分のドレイン・ソース間方向の長さと、前記ゲート電極とソース領域とが重なる部分のドレイン・ソース間方向の長さとの和が、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間隔の1/4以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

強誘電体メモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-323057 Applicant：ソニー株式会社
不揮発性記憶装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-526357 Applicant：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社
強誘電性メモリ素子及びその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-142784 Applicant：三星電子株式会社

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