半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006281161
Publication number (International publication number)：2007141821
Application date： Oct. 16, 2006
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：

【課題】高繊細化に伴う画素領域の微細化、大面積化に伴う基板の大型化によって、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良が問題となっている。【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極(第1の電極とも呼ぶ)上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子を有する発光装置であり、発光素子は、第1の電極と、該第1の電極の端部を覆う隔壁と、前記第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有し、前記隔壁は、発光素子上面から基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、隔壁の側面に段差を有していることを特徴とする発光装置。

IPC (5)：

H05B 33/22 , H05B 33/12 , H01L 51/50 , H05B 33/10 , H05B 33/04

FI (5)：

H05B33/22 Z , H05B33/12 B , H05B33/14 A , H05B33/10 , H05B33/04

F-Term (12)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC35 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107DD02 , 3K107DD89 , 3K107DD97 , 3K107EE03 , 3K107EE54 , 3K107FF15 , 3K107GG33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

表示装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-284174 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-319685 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (5)

表示装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-042044 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-367873 Applicant：凸版印刷株式会社
発光装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-125970 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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