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J-GLOBAL ID:200903008684847640

アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003177695
Publication number (International publication number):2004031350
Application date: Jun. 23, 2003
Publication date: Jan. 29, 2004
Summary:
【課題】有機発光ダイオード表示装置の光出力を高めること。【解決手段】基板;該基板の上に形成された薄膜トランジスタ(TFT)層;周期的格子構造を画定する層;該周期的格子構造の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第1電極層;該第1電極層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する有機発光ダイオード(OLED)材料層;及び該OLED材料層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第2電極層を含んで成り、該第1電極層及び/又は該第2電極層が金属層であることにより該周期的格子構造が該金属電極層において表面プラズモンクロスカプリングを誘発することを特徴とする、アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
a) 基板; b) 該基板の上に形成された薄膜トランジスタ(TFT)層; c) 該TFT層の上に形成された、周期的格子構造を画定する絶縁層; d) 該絶縁層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第1電極層; e) 該第1電極層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する有機発光ダイオード材料層;及び f) 該有機発光ダイオード材料層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第2電極層 を含んで成り、該第1電極層及び/又は該第2電極層が金属層であることにより該周期的格子構造が該金属電極層において表面プラズモンクロスカプリングを誘発することを特徴とする、上面発光型アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置。
IPC (4):
H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H05B33/24
FI (5):
H05B33/14 A ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/02 ,  H05B33/24
F-Term (11):
3K007AB03 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5C094AA10 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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