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J-GLOBAL ID：200903008767440681

3族窒化物半導体素子

Inventor： 小池 正好 ,  永井 誠二 ,  山崎 史郎 ,  梅崎 潤一 ,  森 朋彦 ,  小澤 隆弘 ,  大脇 健史 ,  多賀 康訓
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241384
Publication number (International publication number)：1998065216
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 電極ー3族窒化物半導体層間のオーミック抵抗を低減する。【解決手段】 3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)層6と金属電極7との間に、バンドギャップが前記半導体層のバンドギャップよりも小さく、かつその厚さが1〜50nmである3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)製のコンタクト層11を設ける。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)層と、金属電極と、前記半導体層と前記金属電極との間に設けられるコンタクト層であって、そのバンドギャップが前記半導体層のバンドギャップよりも小さく、かつその厚さが1〜50nmである3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)製のコンタクト層とを備えてなる3族窒化物半導体素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281958   Applicant：三菱化学株式会社
• III-V族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-269279   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-113484   Applicant：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-106060   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098230   Applicant：松下電器産業株式会社