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J-GLOBAL ID：200903008903159894

変調マイクロプラズマによる加工方法及びその装置

Inventor： 清水 禎樹 ,  佐々木 毅 ,  ダヴィデ マリオッティ ,  寺嶋 和夫 ,  越崎 直人
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007297187
Publication number (International publication number)：2008150703
Application date： Nov. 15, 2007
Publication date： Jul. 03, 2008
Summary：

【課題】高周波マイクロプラズマ発生器として、内径が数mm程度の細管又はノズルを用いた、材料堆積などのマイクロプラズマ加工法、及び該加工を実施するための装置を提供する。【解決手段】高周波電圧を印加することによりプラズマ発生用細管内又はプラズマ発生用ノズル内に高周波プラズマを発生させ、該発生したプラズマを被加工基板に向けて照射し、該基板に加工を施すマイクロプラズマ加工法及びその装置であって、前記高周波電圧を変調させることで、断続的にプラズマを発生させることを特徴とするマイクロプラズマ加工法及び装置。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

高周波電圧を印加することによりプラズマ発生用細管内又はプラズマ発生用ノズル内に高周波プラズマを発生させ、該発生したプラズマを被加工基板に向けて照射し、該基板に加工を施すマイクロプラズマ加工法であって、前記高周波電圧を変調させることで、断続的にプラズマを発生させることを特徴とするマイクロプラズマ加工法。

IPC (1)：

C23C 14/00

FI (1)：

C23C14/00 Z

F-Term (4)：

4K029BA01 ,  4K029BB03 ,  4K029CA00 ,  4K029HA00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• マイクロプラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-137956   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 微小なドット又はラインを備えた低融点基板、マイクロプラズマによる堆積方法及び同装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-079483   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 特願2006-225695号
  
• マイクロプラズマデポジション方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-090678   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-301222   Applicant：松下電器産業株式会社
• 微小なドット又はラインを備えた低融点基板、マイクロプラズマによる堆積方法及び同装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-079483   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所