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J-GLOBAL ID:200903009083887519
半導体モジュールおよびそれらの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
金山 聡
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003167244
Publication number (International publication number):2005005488
Application date: Jun. 12, 2003
Publication date: Jan. 06, 2005
Summary:
【課題】電気特性に優れ、小型化、薄型化、軽量化に対応し、高品質、低コストの半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板とセンサーデバイスを接続してなる半導体モジュールにおいて、前記配線基板が、コア基板の少なくとも一方の面に絶縁層を介して配線層が設けられており、前記コア基板は、XY方向の熱膨張係数が2〜20ppmの範囲内であり、ガラスもしくはセラミック基板のいずれかより選ばれ、導電材料により表裏の導通がなされた複数のスル-ホ-ルを有し、前記配線基板と前記センサーデバイスが接合層により接合していることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
配線基板とセンサーデバイスを接続してなる半導体モジュールにおいて、
前記配線基板が、コア基板の少なくとも一方の面に絶縁層を介して配線層が設けられており、
前記コア基板は、XY方向の熱膨張係数が2〜20ppmの範囲内であり、ガラスもしくはセラミック基板のいずれかより選ばれ、導電材料により表裏の導通がなされた複数のスル-ホ-ルを有し、
前記配線基板と前記センサーデバイスが接合層により接合していることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (3):
H01L23/12
, H01L27/14
, H01L31/02
FI (3):
H01L23/12 501C
, H01L27/14 D
, H01L31/02 B
F-Term (14):
4M118AA10
, 4M118BA08
, 4M118BA14
, 4M118HA02
, 4M118HA07
, 4M118HA23
, 4M118HA25
, 4M118HA26
, 4M118HA31
, 4M118HA32
, 4M118HA33
, 5F088BA15
, 5F088BA16
, 5F088GA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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光電変換装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-207002
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-014885
Applicant:日本電気株式会社
-
絶縁型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-219099
Applicant:株式会社日立製作所, 日立金属株式会社
-
配線基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-163641
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-010012
Applicant:松下電子工業株式会社
-
チップサイズパッケージおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-134431
Applicant:キヤノン株式会社
-
多層プリント配線板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-149570
Applicant:ホーヤ株式会社
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