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J-GLOBAL ID:200903009083887519

半導体モジュールおよびそれらの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 金山 聡
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003167244
Publication number (International publication number):2005005488
Application date: Jun. 12, 2003
Publication date: Jan. 06, 2005
Summary:
【課題】電気特性に優れ、小型化、薄型化、軽量化に対応し、高品質、低コストの半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板とセンサーデバイスを接続してなる半導体モジュールにおいて、前記配線基板が、コア基板の少なくとも一方の面に絶縁層を介して配線層が設けられており、前記コア基板は、XY方向の熱膨張係数が2〜20ppmの範囲内であり、ガラスもしくはセラミック基板のいずれかより選ばれ、導電材料により表裏の導通がなされた複数のスル-ホ-ルを有し、前記配線基板と前記センサーデバイスが接合層により接合していることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
配線基板とセンサーデバイスを接続してなる半導体モジュールにおいて、 前記配線基板が、コア基板の少なくとも一方の面に絶縁層を介して配線層が設けられており、 前記コア基板は、XY方向の熱膨張係数が2〜20ppmの範囲内であり、ガラスもしくはセラミック基板のいずれかより選ばれ、導電材料により表裏の導通がなされた複数のスル-ホ-ルを有し、 前記配線基板と前記センサーデバイスが接合層により接合していることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (3):
H01L23/12 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02
FI (3):
H01L23/12 501C ,  H01L27/14 D ,  H01L31/02 B
F-Term (14):
4M118AA10 ,  4M118BA08 ,  4M118BA14 ,  4M118HA02 ,  4M118HA07 ,  4M118HA23 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA31 ,  4M118HA32 ,  4M118HA33 ,  5F088BA15 ,  5F088BA16 ,  5F088GA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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