光導波路デバイスおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999229464
Publication number (International publication number)：2001051145
Application date： Aug. 13, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】偏光依存性が極めて小さく低損失な石英系光導波路デバイス、特にアレー導波路格子デバイスを得ることを目的とする。【解決手段】Si基板上に形成された下部クラッド層、コア、上部クラッド層よりなる石英系光導波路において下部クラッド層及び上部クラッド層がBPSG膜によって形成されている。下部及び上部クラッド層はび800〜1000°C以下の熱処理によって形成され、膜中に添加されているP元素とB元素の重量濃度の和は8.8wt%以上15wt%以下の範囲であり、アレー導波路格子デバイスの偏光に依存する透過中心波長のずれが0.03nm以下であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に下部クラッド層及びコア及び上部クラッド層を形成する工程を有し、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の両方あるいは前記上部クラッド層のみを燐及びボロンの少なくともいずれかを添加した石英系膜によって形成する光導波路デバイスの製造方法において、前記石英系膜はCVD法を用い燐元素とボロン元素の重量濃度の和を6.2wt%以上15wt%以下添加して成膜し、その後前記石英系膜に800°C以上1000°C以下の熱処理を施す工程を備え、かつ前記石英系膜の膜応力が3×107Pa以下であることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。

IPC (2)：

G02B 6/13 , G02B 6/12

FI (2)：

G02B 6/12 M , G02B 6/12 F

F-Term (11)：

2H047KA02 , 2H047KA04 , 2H047KA12 , 2H047LA01 , 2H047PA05 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA04 , 2H047RA00 , 2H047TA00 , 2H047TA36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光導波回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-000380 Applicant：古河電気工業株式会社
光導波路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-050457 Applicant：日本電気株式会社
プレーナ形光導波路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-277855 Applicant：ノーザンテレコムリミテッド

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