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J-GLOBAL ID：200903009297452218

窒化ガリウム系半導体発光素子

Inventor：
仁道 正明

About 仁道 正明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998258546
Publication number (International publication number)：2000091705
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、低動作電流、かつ低動作電圧の窒化ガリウム系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層側から順に第1のp型層と、第2のp型層が少なくとも積層された多層構造で、第1のp型層のバンドギャップが前記第2のp型層との界面付近を含む領域内で、前記第2のp型層側に向かってステップ状または連続的に小さくなっており、かつ前記第1のp型層の前記第2のp型層との界面でのバンドギャップが、前記第2のp型層の前記第1のp型層との界面でのバンドギャップと等しいかまたはより大きいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
Claim (excerpt)：
一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化ガリウム系半導体からなるp型層とn型層で活性層を挟んだ層構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子において、前記p型層が、前記活性層側から順に第1のp型層と、これと接した第2のp型層を少なくとも含む多層構造であり、かつ前記第1のp型層のバンドギャップが前記第2のp型層との界面付近を含む領域内で、前記第2のp型層側に向かってステップ状または連続的に小さくなっており、かつ前記第1のp型層の前記第2のp型層との界面でのバンドギャップが、前記第2のp型層の前記第1のp型層との界面でのバンドギャップと等しいかまたはより大きいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C
F-Term (12)：
5F041AA03 ,  5F041AA32 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (5)
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