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J-GLOBAL ID：200903097254263191

半導体発光素子

Inventor：
ジョン、レニー

About ジョン、レニー


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998260547
Publication number (International publication number)：2000091708
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 活性層からの電子のオーバーフローに対するバリア効果を維持しつつ、活性層に対する正孔の流入に対するバリアを低減することができる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層に注入された電子のオーバーフローを抑制するバリアとして作用し、さらに、活性層に注入される前の正孔に対するバリア作用が緩和されたオーバーフロー防止層を設ける。具体的には、層厚や組成が徐々に変化する超格子や組成が連続的または階段状に変化する構造とすることにより、正孔の流入を促進して、キャリアのロスを解消し、発光効率の高い半導体発光素子を実現できる。
Claim (excerpt)：
活性層を備え、前記活性層に電子と正孔とを注入して発光を生じさせる半導体発光素子であって、前記活性層に注入された前記電子と前記正孔のいずれか一方のオーバーフローを抑制するバリアとして作用するオーバーフロー防止層をさらに備え、前記オーバーフロー防止層は、さらに、前記活性層に注入される前の前記電子と前記正孔のいずれか他方に対するバリア作用が緩和されてなることを特徴とする半導体発光素子。
F-Term (15)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (23)
  • 特開平4-218994
  • 特開平4-218994
  • 窒化物半導体デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-290218   Applicant：日亜化学工業株式会社
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