プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002268095
Publication number (International publication number)：2004111432
Application date： Sep. 13, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】プラズマ処理における処理の均一性を向上すると同時に異物発生を抑制したスループットの高いプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】排気装置124が接続され内部を減圧可能な処理室102、処理室102内へガスを供給するガス供給装置107、被処理材116、被処理材116を載置可能な基板電極115、基板電極115に対向するプラズマを生成するためのアンテナ電極103、アンテナ電極103へ接続されたプラズマ生成用高周波電源111、基板電極115へ接続された第1高周波電源119およびアンテナ電極103へ接続された第2高周波電源114からなるプラズマ処理装置において、第1高周波電源119と第2高周波電源114から印加する高周波の周波数が等しくかつ両者の位相差を制御する位相制御手段122を有し、第1高周波電源と第2高周波電源の高周波の位相を180°ずらした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空容器排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室、該処理室内へガスを供給するガス供給装置、被処理材を載置可能な基板電極、該基板電極に対向するプラズマを生成するためのアンテナ電極、該アンテナ電極へ接続されたプラズマ生成用高周波電源、該基板電極へ接続された第1の高周波電源および該アンテナ電極へ接続された第2の高周波電源からなるプラズマ処理装置において、第1の高周波電源と第2の高周波電源から印加する高周波の周波数が等しく、かつ二つの高周波の位相差を制御する位相制御手段を有するプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L21/3065 , H05H1/46

FI (2)：

H01L21/302 101B , H05H1/46 L

F-Term (16)：

4K030DA04 , 4K030FA04 , 4K030JA18 , 4K030JA19 , 4K030KA08 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 4K030KA46 , 5F004AA01 , 5F004AA05 , 5F004AA16 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BB13 , 5F004BC08 , 5F004CA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

プラズマ処理装置およびその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-312683 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
気相反応装置および気相反応方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-239145 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, トッキ株式会社
プラズマ処理装置および方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-275893 Applicant：株式会社日立製作所

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