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J-GLOBAL ID：200903009405059692

レジストパターンの形成方法

Inventor：
岩井 武

About 岩井 武

, 
岩下 淳

About 岩下 淳


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004360297
Publication number (International publication number)：2006171118
Application date： Dec. 13, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：
【課題】 下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 次の(i)〜(ii)の工程;(i)基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第1のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程;(ii)該第1のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第1のレジスト層と第2のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程;を含むレジストパターンの形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物として、第1のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
下記(i)〜(ii)の工程 (i)基板上に第1のポジ型レジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第1のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程 (ii)該第1のレジスト層の上に第2のポジ型レジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、前記第1のレジスト層と第2のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程 を含むレジストパターンの形成方法であって、 前記第2のポジ型レジスト組成物として、第1のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したポジ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/26 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F7/26 511 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 514A
F-Term (24)：
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA13 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096JA04 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  5F046AA05 ,  5F046NA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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