微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法および当該方法により製造した半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：朝日奈宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998327146
Publication number (International publication number)：2000147783
Application date： Nov. 17, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】分離パターン、ホールパターンの微細化において、耐エッチング性を向上するために、既に形成したレジストパターンの膜厚を増加させることを目的とする。【解決手段】基材上に第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターン上に第2のレジストを形成する工程と、前記第2のレジストの前記第1のレジストパターン上面に接する部分に架橋層を形成する工程と、前記第2のレジストの非架橋部分を剥離して、第2のレジストパターンを形成する工程と、この第2のレジストパターンをマスクとして前記基材をエッチングする工程からなる製造方法により半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

基材上に第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターン上に第2のレジストを形成する工程と、前記第2のレジストの前記第1のレジストパターン上面に接する部分に架橋層を形成する工程と、前記第2のレジストの非架橋部分を剥離して、第2のレジストパターンを形成する工程と、この第2のレジストパターンをマスクとして前記基材をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/004 503 Z , G03F 7/038 , H01L 21/30 502 R

F-Term (27)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025EA05 , 2H025FA09 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA14 , 2H096EA03 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA12 , 2H096FA01 , 2H096GA09 , 2H096KA03 , 2H096KA12 , 2H096KA13 , 2H096KA14 , 2H096KA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080940 Applicant：三菱電機株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-089780 Applicant：沖電気工業株式会社
パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037616 Applicant：沖電気工業株式会社

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