センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：古谷馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001018564
Publication number (International publication number)：2001284550
Application date： Jan. 26, 2001
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】センス層の磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリセルの提供。【解決手段】1つの実施形態において、構造要素56は、センス層50の磁化の保磁子としてはたらく高透磁率の磁性膜を含む。保磁子構造要素56は、減磁界をセンス層50から遠くに導く閉じた磁束経路を提供する。もう1つの実施形態において、構造要素56は、磁気メモリセル内のセンス層50に局所的な磁界を印加する硬強磁性薄膜を含む。

Claim (excerpt)：

磁気メモリセルの論理状態を示す磁化状態を記憶するためのセンス層(50)と、前記センス層(50)における前記磁化状態の混乱を防ぐ構造要素(56)とを含む磁気メモリセル。

IPC (4)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-565541 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
磁気ランダム・アクセス・メモリの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-590173 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
メモリセル装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-515275 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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