超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：後藤洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197885
Publication number (International publication number)：2003013226
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Jan. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】自由にDCL構造体の強度を通常金属から自然ダイヤモンドに近い非常に広い範囲で自由に硬度を制御し、高機能ナノ構造体を得る。【解決手段】原料ガスとして例えばフェナントレン(C14H10)およびピレン(C16H10)ガスを用い、基板近傍に局所的に高いガス分圧維持させるためのガスノズルおよび基板上にガスを閉じこめる構造を有し、イオンビームによる照射条件を0.1〜10pAの集束イオンビーム電流量と、その時の成長速度が0.5〜5μm/分の範囲で制御する。

Claim (excerpt)：

集束イオンビームによる炭化水素ガスの化学分解生成反応を利用したダイヤモンド状炭素(ダイヤモンドライクカーボン、DLC)構造体の形成方法において、前記集束イオンビームの照射量を0.1〜10pAのイオンビーム電流量でもって制御することを特徴とする超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法。

IPC (2)：

C23C 16/27 , C01B 31/02 101

FI (2)：

C23C 16/27 , C01B 31/02 101 Z

F-Term (8)：

4G046GA01 , 4G046GB05 , 4K030AA09 , 4K030BA28 , 4K030FA12 , 4K030JA03 , 4K030JA12 , 4K030JA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

微小立体構造物、その製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-286337 Applicant：科学技術振興事業団
成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-197996 Applicant：株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
パターン形成方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-318213 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Three-dimensional nanostructure fabrication by focused-ion-beam chemical vapor deposition.

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