Pat
J-GLOBAL ID:200903009753599803
半導体素子
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 興作 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001267299
Publication number (International publication number):2003045899
Application date: Sep. 04, 2001
Publication date: Feb. 14, 2003
Summary:
【要約】【課題】Al、Ga、Inの少なくとも一つを含む窒化物半導体からなる、エピタキシャル成長させた半導体層中の転位密度を低減し、FETやHEMTなどの実用デバイスとして使用することのできる、前記窒化物半導体からなる半導体素子を提供する。【解決手段】基板1上に、転位密度1011/cm2以下、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅90秒以下のAlN層を下地層2としてエピタキシャル成長させ、この下地層2上に、n-GaN層を導電層3としてエピタキシャル成長させて、導電層3中の転位密度を1010/cm2以下、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅150秒以下とする。
Claim (excerpt):
基板と、この基板上にエピタキシャル成長されたAlを含み、転位密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下である第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上にエピタキシャル成長されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含み、転位密度が1010/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が150秒以下である第2の窒化物半導体からなる導電層とを実質的に具えることを特徴とする、半導体素子。
IPC (8):
H01L 21/338
, C23C 16/34
, H01L 21/205
, H01L 21/331
, H01L 29/205
, H01L 29/737
, H01L 29/778
, H01L 29/812
FI (6):
C23C 16/34
, H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01L 29/80 B
, H01L 29/80 H
, H01L 29/72 H
F-Term (47):
4K030AA11
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB13
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030LA12
, 5F003AP00
, 5F003BA92
, 5F003BB09
, 5F003BF06
, 5F003BH08
, 5F003BM03
, 5F003BP32
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA07
, 5F045DA53
, 5F045DA62
, 5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ05
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK09
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GR01
, 5F102GS02
, 5F102GT03
, 5F102HC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-217875
Applicant:株式会社東芝
-
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-030652
Applicant:日本電信電話株式会社
-
III族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-315193
Applicant:豊田合成株式会社
Cited by examiner (3)
-
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-217875
Applicant:株式会社東芝
-
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-030652
Applicant:日本電信電話株式会社
-
III族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-315193
Applicant:豊田合成株式会社
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