結晶中酸素濃度の制御方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：井内龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995214939
Publication number (International publication number)：1997059084
Application date： Aug. 23, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶中酸素濃度に及ぼす部品劣化等の経時変化に対して考慮がなされてなく、何本も引き上げる内に酸素濃度値が目標からずれてくる。この外乱には多くの要因が混ざっており、単純なフィードバックでは操作量を正確に設定することが難しく、また人間が行なうと検討に時間が掛かり易い。【解決手段】予めルツボ13の回転数R等の制御因子に関する関係式を求めておき、この制御因子の操作量に基づいて単結晶17を引き上げ、酸素濃度を測定した後、この測定酸素濃度と関係式による酸素濃度推定値との差に基づいて外乱要因ごとに関係式を補正し、この補正した関係式に基づいて所定の目標酸素濃度値になるように決定したルツボ回転数R等の制御因子の操作量により、次の単結晶17を引き上げる結晶中酸素濃度の制御方法。

Claim (excerpt)：

石英ルツボ内の溶融液より結晶を引き上げる際の結晶中酸素濃度の制御方法において、あらかじめ酸素濃度とルツボ回転数等の制御因子に関する関係式とを求めておき、前記制御因子の操作量を決定し、該操作量に基づいて結晶を引き上げ、該引き上げた結晶中の酸素濃度を測定した後、該測定した酸素濃度と前記関係式による酸素濃度推定値との差に基づいて部品劣化要因、品種変更要因、これら以外の要因ごとに前記関係式を補正し、この補正した関係式に基づいて酸素濃度が所定の目標値となるように前記ルツボ回転数等の制御因子の操作量を決定し、この操作量に基づいて次の結晶を引き上げることを特徴とする結晶中酸素濃度の制御方法。

IPC (3)：

C30B 15/20 , C30B 15/00 , C30B 29/06 502

FI (3)：

C30B 15/20 , C30B 15/00 Z , C30B 29/06 502 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

シリコン結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-064065 Applicant：日本電気株式会社
単結晶の酸素濃度予測方法及び単結晶の引上方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347187 Applicant：川崎製鉄株式会社
単結晶引き上げ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-074116 Applicant：住友金属工業株式会社, 住友シチックス株式会社, 九州電子金属株式会社

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