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J-GLOBAL ID:200903009876330280
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石田 敬 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998043589
Publication number (International publication number):1999243160
Application date: Feb. 25, 1998
Publication date: Sep. 07, 1999
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、クラックや膨れが発生するのを防止することを目的とする。【解決手段】 半導体チップ12と、該半導体チップ12を搭載するためのテープ14と、該半導体チップと該テープとの間に設けられた接着性樹脂層16と、該テープに設けられたはんだボール28とを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体チップ12を接着性樹脂層16を介してテープ14に固定する工程と、はんだボール28を該テープ14に付ける工程と、半導体チップ12を接着性樹脂層16を介してテープ14に固定する工程の後で、該テープ14を貫通する少なくとも一つの穴32を形成する工程とを備える構成とする。
Claim (excerpt):
半導体チップと、該半導体チップを搭載するためのテープと、該半導体チップと該テープとの間に設けられた接着性樹脂層と、該テープに設けられたはんだボールとを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体チップを接着性樹脂層を介してテープに固定する工程と、はんだボールを該テープに付ける工程と、半導体チップを接着性樹脂層を介してテープに固定する工程の後で、該テープを貫通する少なくとも一つの穴を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 23/12
, H01L 21/60 301
, H01L 21/60 311
FI (3):
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 301 A
, H01L 21/60 311 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-331917
Applicant:ソニー株式会社
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半導体パッケ-ジ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-309001
Applicant:日立化成工業株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-162594
Applicant:日立電線株式会社
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