半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997326395
Publication number (International publication number)：1999163176
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 MOSトランジスタの形成時のエッチングダメージが、バイポーラトランジスタが形成される領域に及ぶことを防止するとともに、バイポーラトランジスタの形成時のエッチングダメージが、MOSトランジスタが形成される領域に及ぶことを防止し、加えて、トランジスタ形成時の酸化膜のエッチングなどによる分離酸化膜の膜厚の減少を抑制して、素子分離性能の劣化を防止する。【解決手段】バイポーラトランジスタが形成される領域60及びCMOSトランジスタが形成される領域61、62の上に、ゲート電極の形成材料13a、13bを堆積し、これをパターニングして、ゲート電極13を形成するとともに、バイポーラトランジスタが形成される領域60上に上記材料13a、13bを残存させる。次に、CMOSトランジスタが形成される領域61、62の上に保護膜40を堆積したままで、ベース及びエミッタ電極23a、26aを形成する。

Claim (excerpt)：

バイポーラトランジスタ及びMOSトランジスタを半導体基板の同一主面に形成する半導体装置の製造方法において、上記半導体基板主面の上記バイポーラトランジスタが形成される領域及び上記MOSトランジスタが形成される領域の上に、上記MOSトランジスタのゲート電極の形成材料を堆積する工程と、上記ゲート電極の形成材料をパターニングして、上記ゲート電極を形成するとともに、上記バイポーラトランジスタが形成される領域上に上記材料を残存させる工程と、上記半導体基板主面の上記MOSトランジスタが形成される領域の上に保護膜を堆積する工程と、上記MOSトランジスタが形成される領域を上記保護膜にて覆った状態で、上記バイポーラトランジスタのベース及びエミッタ電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 21/8222

FI (2)：

H01L 27/06 321 A , H01L 27/06 101 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-134301 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-203241
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316769 Applicant：三菱電機株式会社

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