不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001163655
Publication number (International publication number)：2002368197
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロックを提供する。【解決手段】本発明の不揮発性磁気メモリ・セル32はビット・ライン14とビット・ライン14に流れる電流によって生じる磁界の方向によって磁化の方向が変化する強磁性体の層を含む記憶素子10と、ビット・ライン14と記憶素子10とを接続する導電体12と、スイッチング素子28、と導電体12とで記憶素子10を挟み、記憶素子10とスイッチング素子28の一端とを接続する第1配線構造体24と、ビット・ライン14に非接触で交差する書き込みワード・ライン16と、書き込みワード・ライン16と記憶素子10とを絶縁する絶縁膜20と、を含むように構成した。

Claim (excerpt)：

ビット・ラインと該ビット・ラインに流れる電流によって生じる磁界の向きによって磁化の向きが変化する強磁性体の層を含む記憶素子と、前記ビット・ラインと該記憶素子とを接続する導電体と、スイッチング素子と、前記導電体とで前記記憶素子を挟み、前記記憶素子と前記スイッチング素子の一端とを接続する第1配線構造体と、前記ビット・ラインに非接触で交差する書き込みワード・ラインと、前記書き込みワード・ラインと前記記憶素子とを絶縁する絶縁膜と、を含む不揮発性磁気メモリ・セル。

IPC (5)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/10 461 , H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 27/10 461 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (16)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA20 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR04 , 5F083PR40 , 5F083ZA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-122085 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
磁気素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-089616 Applicant：株式会社東芝
巨大磁気抵抗効果を利用したメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-102957 Applicant：キヤノン株式会社

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