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J-GLOBAL ID：200903010475684843

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
橋村 昌樹

About 橋村 昌樹


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081973
Publication number (International publication number)：2004289047
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：
【課題】半導体発光素子の生産性を向上させること、或いは、半導体発光素子の外部量子効率を向上させること。【解決手段】レーザービームを用いた場合、基板1の傾斜面1aを容易に形成することができるが、特にこの傾斜面1aの高さを100μm以上とした場合、基板の厚さを凡そ200μm〜300μm程度にまで厚くしたままでも、半導体ウエハ800を所望位置で分割することが可能である。この様な構成に従えば、傾斜面1aをより広く確保できると同時に、従来よりも容易、正確、又は確実に所望の位置で個々の発光素子100にウエハ800を分割することが可能となる。即ち、従来よりも高い外部量子効率と従来よりも高い生産性を同時に獲得することができる。また、ブラスト処理等で稜L1,L2の少なくとも一部を面取りすることにより、基板1を凸レンズ形状に形成することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板の上面(表側の水平面)上に結晶成長により複数の半導体層を積層して形成される半導体発光素子において、 前記基板の側壁は、前記基板の裏側に斜めに露出し、かつ、前記基板の裏面にまで連なる、少なくとも高さ50μm以上の傾斜面を有する ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01L21/301
FI (3)：
H01L33/00 A ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 P
F-Term (14)：
5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA12 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB01 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA16 ,  5F041DA26
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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