光半導体素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997360427
Publication number (International publication number)：1999191636
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】透光性基板上に窒化物半導体を有する高光利用効率の光半導体素子及びこれを量産性よく形成できる製造方法を提供するものである。【解決手段】透光性基板101が第1の主面151及び第1の主面と対向する第2の主面152を有し第1の主面151上に窒化物半導体102が積層された光半導体素子110である。特に、第2の主面152の少なくとも一部がレンズ効果を有する曲面形状104となっている。

Claim (excerpt)：

透光性基板(101)が第1の主面(151)及び第1の主面と対向する第2の主面(152)を有し第1の主面(151)上に窒化物半導体(102)が積層された光半導体素子(110)であって、前記第2の主面(152)の少なくとも一部がレンズ効果を有する曲面形状(104)であることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

発光ダイオード素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-103462 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
p-nヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-217276 Applicant：日新製鋼株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-300940 Applicant：日亜化学工業株式会社

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