半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002065431
Publication number (International publication number)：2003092456
Application date： Mar. 11, 2002
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、発光特性を著しく改善する。【解決手段】基板(201)と窒素を含む活性層(204)との間にAlを含む半導体層(202)が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層(204)の酸素濃度が、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度(例えば1×1018cm-3以下)であることを特徴としている。これによって、活性層(204)の発光効率を改善することができ、室温連続発振する半導体発光素子を形成することが可能となる。

Claim (excerpt)：

基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層は、窒素化合物原料を用いて成長され、Alを含む半導体層は、有機金属Al原料を用いて成長されており、窒素を含む活性層における非発光再結合準位形成不純物の濃度は、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01S 5/183

FI (3)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01S 5/183

F-Term (33)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DA64 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB17 , 5F073BA02 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA27 , 5F073DA35 , 5F073EA02 , 5F073EA23 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-283422 Applicant：株式会社リコー
特開平2-006389
特開平3-183693

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