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J-GLOBAL ID：200903010665874649

処理方法及び処理装置

Inventor：
北野 淳一

About 北野 淳一

, 
志村 悟

About 志村 悟


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (3)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002210104
Publication number (International publication number)：2004055766
Application date： Jul. 18, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】ウェハに水分が付着することを抑制して,シリル化処理を適正に行う。【解決手段】熱処理装置40とシリル化処理装置50との間に,ケーシング60aで覆われた搬送路60が設けられる。搬送路60には,ウェハ搬送体173が設けられる。搬送路60には,ケーシング60a内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給口170が設けられ,搬送路60内を乾燥雰囲気に維持する。そして,露光処理が終了したウェハWは,熱処理装置40に搬送され,熱板96上で加熱処理される。その後ウェハWは,冷却板110上で冷却処理される。冷却の終了したウェハWは,乾燥雰囲気の搬送路60を経由してシリル化処理装置50に搬送され,シリル化処理される。このように,加熱処理後の搬送時にウェハWに水分が付着することが抑制され,シリル化処理が適正に行われる。【選択図】 図8
Claim (excerpt)：
基板の熱処理と, 基板上に形成された膜にシリル化剤を供給して当該膜をシリル化する基板のシリル化処理と,を含む複数の処理が行われる基板の処理方法であって, 前記熱処理が終了してから前記シリル化処理が開始されるまでの間に,基板が乾燥雰囲気に維持されることを特徴とする,処理方法。
IPC (2)：
H01L21/027 ,  G03F7/38
FI (3)：
H01L21/30 568 ,  G03F7/38 512 ,  H01L21/30 567
F-Term (12)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA03 ,  5F046CD01 ,  5F046CD04 ,  5F046CD06 ,  5F046KA04 ,  5F046KA07 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18 ,  5F046LB09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • シリル化装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-145537   Applicant：ソニー株式会社
  • 放射線に敏感なレジスト組成
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-504278   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
  • 特開昭63-115341
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