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J-GLOBAL ID：200903081979759504

窒化物系半導体装置

Inventor：
齋藤 渉

About 齋藤 渉

, 
大村 一郎

About 大村 一郎


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004269955
Publication number (International publication number)：2006086354
Application date： Sep. 16, 2004
Publication date： Mar. 30, 2006
Summary：
【課題】高耐圧/低オン抵抗の窒化物系半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物系半導体装置は、窒化物系半導体から実質的になる第1半導体層1と、第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくは第1導電型の窒化物系半導体から実質的になる第2半導体層2と、を有する。第1及び第2半導体層はヘテロ界面を形成する。第2半導体層上にゲート電極11が配設される。ゲート電極を間に挟むように第2半導体層の表面内に第1及び第2トレンチ3、4が形成される。第1及び第2トレンチの表面内に、第1及び第2半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第1導電型の第3及び第4半導体層5、6が形成される。第3及び4半導体層にソース電極15及びドレイン電極16が電気的に接続される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物系半導体から実質的になる第1半導体層と、 前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくは第1導電型の窒化物系半導体から実質的になる第2半導体層と、前記第1及び第2半導体層はヘテロ界面を形成することと、 前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、 前記ゲート電極を間に挟むように前記第2半導体層の表面内に形成された第1及び第2トレンチと、 前記第1及び第2トレンチの表面内に形成された、前記第1及び第2半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第1導電型の第3及び第4半導体層と、 前記第3半導体層に電気的に接続されたソース電極と、 前記第4半導体層に電気的に接続されたドレイン電極と、 を具備することを特徴とする窒化物系半導体装置。
IPC (7)：
H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/417
FI (6)：
H01L29/80 F ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/50 J
F-Term (28)：
4M104AA04 ,  4M104CC03 ,  4M104FF11 ,  4M104GG08 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GR15 ,  5F102GR17 ,  5F102GS03 ,  5F102GS07 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (14)
  • 椎間空間への前方斜め挿入用の人工器官
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-508741   Applicant：エスディージーアイ・ホールディングス・インコーポレーテッド
  • 特開昭63-090173
  • 特開平2-140944
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