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J-GLOBAL ID:200903010799272823
輸送重合および化学気相成長法用新蒸着システムおよびプロセス
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000518129
Publication number (International publication number):2001521293
Application date: Oct. 15, 1998
Publication date: Nov. 06, 2001
Summary:
【要約】記述された蒸着システムは、輸送重合および化学気相成長法用に使用される新しい前駆物質および化学プロセスを適応させるために設計された。本システムは主に反応器、液体注入器またはガス質量流量制御器、亀裂器、および亜大気圧下の蒸着チャンバーより成る。亀裂器は熱、光子、およびプラズマを含む一つ以上のタイプのエネルギーを利用する。本発明は、0.25μm未満のサイズの特性を備えた集積回路の製造における金属間誘電体(IMD)およびレベル間誘電体(ILD)適用に対して、F-PPX(弗化ポリ(パラキシリレン))および他の弗化ポリマー薄膜を作製するために特に有用である。
Claim (excerpt):
前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および亀裂器とチャック間に位置された移動可能流れパターン調節器を有する、 ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム(反応器)。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/31 C
, C23C 16/448
F-Term (26):
4K030AA04
, 4K030AA09
, 4K030BA24
, 4K030BA61
, 4K030EA01
, 4K030FA06
, 4K030FA08
, 4K030KA12
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AA11
, 5F045AA16
, 5F045AB39
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AF03
, 5F045DC63
, 5F045EE02
, 5F045EE10
, 5F045EJ03
, 5F045EM04
, 5F045EM05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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プラズマCVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-206457
Applicant:ヤマハ株式会社
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特公昭62-001534
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特開昭62-092311
-
光励起ガス反応装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-029373
Applicant:株式会社日立製作所
-
非単結晶シリコン膜の形成方法および形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-329017
Applicant:キヤノン株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-258744
Applicant:富士通株式会社
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特開平1-165603
-
特公昭61-040034
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特開平1-119029
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特開昭62-196373
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特開平4-237123
-
特開平1-155615
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