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J-GLOBAL ID:200903011256901789
プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人 明成国際特許事務所
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000591650
Publication number (International publication number):2002533949
Application date: Dec. 22, 1999
Publication date: Oct. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】【解決手段】 本発明は、半導体の基板を処理するためのプラズマ処理リアクタ装置に関する。この装置は、チャンバを備える。この装置は、さらに、第1のRF周波数を有した第1のRF電源に結合されるように構成されたトップ電極と、第1のRF周波数より低い第2のRF周波数を有した第2のRF電源に結合されるように構成されたボトム電極とを備える。この装置は、また、チャンバの内壁に沿った絶縁シュラウドを有し、この絶縁シュラウドは、処理中において電気的に絶縁されるように構成されている。この装置は、さらに、ボトム電極の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリングを備え、この穿孔プラズマ閉じ込めリングの上面は、基板の上面の下方に配置され、処理中には電気的に接地されている。
Claim (excerpt):
半導体の基板を処理するためのプラズマ処理リアクタであって、 チャンバと、 第1のRF周波数を有した第1のRF電源に結合されるように構成されたトップ電極と、 前記第1のRF周波数より低い第2のRF周波数を有した第2のRF電源に結合されるように構成されたボトム電極と、 前記チャンバの内側に沿った絶縁シュラウドであって、前記処理中において電気的に絶縁されるように構成されている絶縁シュラウドと、 前記ボトム電極の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリングであって、該穿孔プラズマ閉じ込めリングの上面は、前記基板の上面の下方に配置され、前記処理中において電気的に接地されている、穿孔プラズマ閉じ込めリングとを備えるプラズマ処理リアクタ。
IPC (3):
H01L 21/3065
, H05H 1/46
, H01J 37/32
FI (3):
H05H 1/46 L
, H01J 37/32
, H01L 21/302 C
F-Term (20):
5F004AA01
, 5F004AA14
, 5F004BA07
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BB23
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004CA02
, 5F004CA05
, 5F004CA06
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DB03
, 5F004EB01
, 5F004EB03
, 5F004EB04
, 5F004EB05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-142188
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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エッチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-302138
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-144562
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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