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J-GLOBAL ID：200903073208828080

プラズマ処理装置

Inventor：
輿水 地塩

About 輿水 地塩


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997144562
Publication number (International publication number)：1998321605
Application date： May. 20, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 処理時と処理室内のクリーニング時とでプラズマのイオンエネルギーを独立に制御することが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内に,処理室102内に形成されるプラズマ領域と排気経路とを隔てるように,バッフル板132を配置する。バッフル板132は,サセプタ110の周囲を囲むスリーブ部132aと,スリーブ部132aの上端から外方方向へ張り出すカラー部132bとから構成される。バッフル板132には,その全面に渡って複数の貫通孔134が穿設されると共に,昇降軸136が接続され,不図示の昇降機構の作動によって上下動自在に構成される。バッフル板132が,処理時には相対的に下方に,クリーニング時には相対的に上方に移動することにより,プラズマ領域の容積が増減し,所望のプラズマのイオンエネルギーを得ることができる。
Claim (excerpt)：
処理室内に導入される所定の処理ガスをプラズマ化して,前記処理室内に配置された電極上に載置される被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すごとく構成されたプラズマ処理装置において,前記処理室内のプラズマ領域と前記処理室内を排気する排気経路を隔てるバッフル板が配置され,前記バッフル板は,前記プラズマ領域の容積を拡大縮小するように移動可能であることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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