窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002303786
Publication number (International publication number)：2004140203
Application date： Oct. 18, 2002
Publication date： May. 13, 2004
Summary：

【課題】良好なFFPが得られる窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】第1及び第2の主面を有する基板と、基板の第1の主面側に積層されてなるn型半導体層、活性層、及びp型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、窒化物半導体層は、ストライプ状の導波路領域と、導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体レーザ素子であって、基板は、端部及び/又は第2の主面に、活性層からの光を拡散する光拡散領域が形成されてなることを特徴とする。これにより、導波路領域から洩れだした光を拡散させて主ビームにノイズを生じにくくすることができ、良好なFFPを有する半導体レーザ素子が得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1及び第2の主面を有する基板と、該基板の第1の主面側に積層されてなるn型半導体層、活性層、及びp型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、該窒化物半導体層は、ストライプ状の導波路領域と、該導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体レーザ素子であって、前記基板は、端部及び/又は第2の主面に、前記活性層からの光を拡散する光拡散領域が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S5/323 , H01S5/22

FI (2)：

H01S5/323 610 , H01S5/22

F-Term (11)：

5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA17 , 5F073DA31 , 5F073EA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-259739 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体基板、その製造方法、半導体装置及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-230843 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-232349 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page