半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997259739
Publication number (International publication number)：1999097793
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板等が発振波長に対して透明となる半導体レーザにおいて、素子の電極面界面における光の多重共振器効果を抑制して安定な単一の発振スペクトルを得る。【解決手段】基板1の、電極14と接触する下面1a に光導波方向Zに5μm周期の凹凸となるように、深さ0.5μmの溝12を縞状に設ける。この溝12は光導波路となるリッジストライプと垂直に交わる方向に延びるものとし、半導体レーザの発振部に対応する位置に形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に第一クラッド層を含む第一半導体層、活性層、第二クラッド層を含む第二半導体層がこの順に積層されてなり、前記基板もしくは前記第一半導体層に第一電極が形成され、前記第二半導体層の上面に第二電極が形成されてなる端面発光型の半導体レーザであって、前記第二半導体層が、発振波長の光に対して透明であり、前記第二半導体層の上面の、発振部に対応する領域に凹凸形状が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-159171 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280155 Applicant：株式会社日立製作所
半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-325053 Applicant：古河電気工業株式会社

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