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J-GLOBAL ID:200903025284692177

X線マスク及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 北野 好人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998098867
Publication number (International publication number):1999297593
Application date: Apr. 10, 1998
Publication date: Oct. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 X線リソグラフィーに用いられるX線マスク及びその製造方法に関し、応力のゼロ調整を行った後の大気中での高温アニールによって応力が変動しないX線マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】 支持膜12と、支持膜12上に形成され、Taよりなる第1の元素と、B、Si又はGeの何れかから選択された第2の元素と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第3元素とを含む膜よりなるX線吸収体14とによりX線マスクを構成する。
Claim (excerpt):
支持膜と、前記支持膜上に形成され、Taよりなる第1の元素と、B、Si又はGeの何れかから選択された第2の元素と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第3元素とを含む膜よりなるX線吸収体とを有することを特徴とするX線マスク。
IPC (2):
H01L 21/027 ,  G21K 5/02
FI (2):
H01L 21/30 531 M ,  G21K 5/02 X
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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