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J-GLOBAL ID:200903011431177339

新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999174945
Publication number (International publication number):2000309611
Application date: Jun. 22, 1999
Publication date: Nov. 07, 2000
Summary:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1はH、CH3又はCH2CO2R14、R2はH、CH3又はCO2R14、R3はC1〜C8のアルキル基又はC6〜C20の置換されていてもよいアリール基、R4〜R13はH又はC1〜C15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、互いに環を形成していてもい。R4〜R13は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。R14はC1〜C15のアルキル基を示す。kは0又は1である。また、本式により、鏡像体も表す。)【効果】 本発明のエステル化合物から得られる高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用であり、特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができる。
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R14を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R14を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R4〜R13はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、互いに環を形成していてもよく、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。またR4〜R13は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。R14は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。kは0又は1である。また、本式により、鏡像体も表す。)
IPC (7):
C08F 34/00 ,  C07C 69/753 ,  C08F220/00 ,  C08G 61/08 ,  C08L 65/00 ,  G03F 7/027 ,  C09D167/00
FI (7):
C08F 34/00 ,  C07C 69/753 C ,  C08F220/00 ,  C08G 61/08 ,  C08L 65/00 ,  G03F 7/027 ,  C09D167/00
F-Term (68):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ04 ,  2H025BJ10 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006AB76 ,  4H006BJ30 ,  4J002BK001 ,  4J002EQ016 ,  4J002ES016 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J032CA33 ,  4J032CA45 ,  4J032CA62 ,  4J032CB01 ,  4J032CB04 ,  4J032CB12 ,  4J032CC03 ,  4J032CD01 ,  4J032CD09 ,  4J032CE03 ,  4J032CE22 ,  4J032CG06 ,  4J038CG012 ,  4J038CG032 ,  4J038CG142 ,  4J038CH152 ,  4J038EA011 ,  4J038JA60 ,  4J038PA17 ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR09P ,  4J100AR09R ,  4J100AR11P ,  4J100AR11R ,  4J100BA03R ,  4J100BA15R ,  4J100BA16R ,  4J100BA20R ,  4J100BC07R ,  4J100BC08R ,  4J100BC43R ,  4J100BC53R ,  4J100BC55R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100FA17 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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