感放射線性レジスト製造用重合体及びこれを含有するレジスト組成物

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：児玉喜博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999202429
Publication number (International publication number)：2000109525
Application date： Jul. 16, 1999
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 ArFエキシマーレーザー光に対する感度特性、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性及びエキシマーレーザー光に対する透明性に優れ、解像度及び現像性などでも卓越した感放射線性レジスト組成物の提供。【解決手段】次の一般式(I)で表示され、ポリスチレン標準換算平均分子量(Mw)が3,000〜50,000であり、分子量分布(Mw/Mn)が1.0〜2.0である多元共重合体。Xは次の一般式(II)、(III)から選択された側鎖に酸解離性作用基を含むノルボルネン誘導体であり、Yは次の一般式(IV)で表示される側鎖にカルボン酸を含むノルボルネン誘導体である。

Claim (excerpt)：

次の一般式(I)で表示され、ポリスチレン標準換算平均分子量(Mw)が3,000〜50,000であり、分子量分布(Mw/Mn)が1.0〜2.0である多元共重合体。【化1】前記式において、Xは次の一般式(II)、(III)から選択された側鎖に酸解離性作用基を含むノルボルネン誘導体であり、Yは次の一般式(IV)で表示される側鎖にカルボン酸を含むノルボルネン誘導体である。【化2】【化3】【化4】前記式において、R1はt-ブチルオキシカルボニル基、アセチル基、シクロヘキサンカルボニル基、アダマンタンカルボニル基、バイシクロ[2,2,1]ヘプタンメチルカルボニル基など、C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル基、環状又は多重環状アルキル基、アルキルカルボニル基、側鎖アルキルカルボニル基、環状又は多重環状アルキルカルボニル基を示す。また、R2は水素、C1〜C10の直鎖アルキルオキシカルボニル基、側鎖アルキルオキシカルボニル基、アルコキシアルキルカルボニル基、環状アルキルオキシカルボニル基、多重環状アルキルオキシカルボニル基などを示し、それぞれ独立的である。R3はメチル基、エチル基、t-ブチル基、iso-プロピル基、アダマンチル基、バイシクロ[2,2,1]ヘプタンメチル基など、C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル基、環状又は多重環状アルキル基である。l+m+n+oは1であり、oの含有比は0.4〜0.6であり、1、m、nの含有比はそれぞれ0.5以下である。

IPC (5)：

C08F222/06 , C08F232/08 , C08G 63/54 , C08L 35/02 , G03F 7/039 601

FI (5)：

C08F222/06 , C08F232/08 , C08G 63/54 , C08L 35/02 , G03F 7/039 601

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

感光膜共重合体、感光膜共重合体の製造方法、感光膜、感光膜の製造方法、単量体の合成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-368957 Applicant：現代電子産業株式会社
化学増幅型のレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-094644 Applicant：三星電子株式会社
化合物とその製造方泡共重合体樹脂とその製造方泡フォトレジスト用共重合体樹脂とその製造方泡フォトレジスト組成物とその製造方法、フォトレジストパタ-ン形成方泡及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-374661 Applicant：現代電子産業株式会社

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