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J-GLOBAL ID：200903011532657404

太陽電池及びその製造方法

Inventor： 池ノ上 芳章 ,  三木 久幸 ,  塙 健三 ,  佐々木 保正 ,  加治 亘章 ,  横内 仁 ,  今田 涼子
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008038004
Publication number (International publication number)：2008235878
Application date： Feb. 19, 2008
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法の提供。【解決手段】異種基板上にIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、pn接合を有するIII族窒化物半導体層(p型層/n型層)を具備する太陽電池であって、バッファー層とpn接合を有するIII族窒化物半導体層からなる群より選ばれた少なくとも一種がスパッタ法によって形成された化合物半導体層を有することを特徴とする太陽電池である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、pn接合を有するIII族窒化物半導体層(p型層/n型層)とを具備する太陽電池であって、 バッファー層とpn接合を有するIII族窒化物半導体層とからなる群より選ばれた少なくとも一種がスパッタ法によって形成された化合物半導体層を有することを特徴とする太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 A

F-Term (7)：

5F051AA08 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 光計測装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-169841   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• タンデム型太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-172999   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 集光型太陽光発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-135619   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• 米国特許出願公開2004-0118451号公報
  
• 特開昭60-39819号公報
  

Cited by examiner (2)

• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-121692   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-078294   Applicant：日亜化学工業株式会社