半導体素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石戸久子 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000039662
Publication number (International publication number)：2001230413
Application date： Feb. 17, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】順電圧やオン抵抗と耐圧とのトレードオフ関係を大幅に緩和させて、高耐圧でありながら順電圧やオン抵抗の低減による電流容量の増大が可能な半導体素子を提供する。【解決手段】ソース電極17、ドレイン電極18が設けられる主面間に、n-低抵抗層のn+ ドレイン層11と並列pn層(12a及び12b)を備える半導体素子において、周縁部にn- 高抵抗領域20を有すると共に周縁部幅方向にp-高抵抗領域23を有する。また、p+ 領域を周縁部深さ方向に設けてもよい。

Claim (excerpt)：

第一と第二の主面間に、低抵抗層と、第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域とを交互に配置した並列pn層とを備える半導体素子において、周縁部に第一導電型の高抵抗領域及び第二導電型の領域を有することを特徴とする半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

高耐圧半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-026997 Applicant：三菱電機株式会社
高耐圧電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-050745 Applicant：株式会社東芝
特開平3-155678

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Cited by examiner (9)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-026997 Applicant：三菱電機株式会社
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特開平3-155678

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