低温下における半導体フィルムの加熱処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河備健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002142517
Publication number (International publication number)：2003318182
Application date： May. 17, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】ガラス上へのデバイスの作成において、結晶化の反応促進、ドーパント活性化の促進、さらにこれらのプロセスにおいてサーマルバジェットを軽減できる装置の提供。【解決手段】 (a)上側層と下側層を連続的に形成させ、半導体フィルムをその間の空間を移動させる誘導コイル、(b)誘導コイルを覆う磁気コア、及び(c)半導体フィルムの予備加熱部からなる熱感受性の非導電性基板上の半導体フィルムを加熱処理する装置であって、熱感受性の非導電性基板を損傷させることなく最小限のサーマルバジェットで誘導加熱できる加熱処理装置。

Claim (excerpt)：

熱感受性の非導電性基板上の半導体フィルムを低温加熱処理する装置であって、(a)電磁力が半導体フィルムの平面方向に平行に発生するように上側層と下側層を連続的に形成させた誘導コイルであって、熱感受性の非導電性基板とその上に堆積された半導体フィルム(以下、加熱処理体ということがある)を、上記上側層と上記下側層の間の空間に移動させることができる誘導コイル、(b)上記上側層と上記下側層の外部表面をそれぞれ覆う磁気コア、及び(c)加熱処理体の上記上側層と下側層の間の空間への移動に先だって誘導加熱のために加熱処理体を加熱する予備加熱部であって、加熱処理体の半導体フィルムが、基板の使用を可能にする最小限のサーマルバジェットで誘導加熱される範囲まで加熱されるようになされている予備加熱部からなる装置。

IPC (6)：

H01L 21/324 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 21/265 602 , H05B 6/10 381 , H05B 6/40

FI (7)：

H01L 21/324 J , H01L 21/324 W , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 21/265 602 Z , H05B 6/10 381 , H05B 6/40

F-Term (18)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA29 , 2H092MA35 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 3K059AA08 , 3K059AB04 , 3K059AB09 , 3K059AB26 , 3K059AB27 , 5F052AA11 , 5F052AA22 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F052JA08 , 5F052JA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

交流磁場を用いた導電性薄膜の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-224117 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭60-257123
半導体薄膜の結晶化法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-138322 Applicant：三洋電機株式会社

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