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J-GLOBAL ID：200903011728487302

酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
笘井 重和

About 笘井 重和

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井上 一吉

About 井上 一吉

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矢野 公規

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川嶋 浩和

About 川嶋 浩和

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笠見 雅司

About 笠見 雅司


Applicant, Patent owner：
出光興産株式会社

About 出光興産株式会社


Agent (3)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008102492
Publication number (International publication number)：2009253204
Application date： Apr. 10, 2008
Publication date： Oct. 29, 2009
Summary：
【課題】移動度が高い電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、前記ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層の厚さが1nm以上15nm以下であり、ソース電極とドレイン電極との間が0.5μm以上50μm以下であり、半導体層が、少なくともIn(インジウム)元素及びZn(亜鉛)元素、又はIn元素、Zn元素及び元素Xを含有し、In元素及びZn元素の含有率(原子比)が下記の(1)及び(2)を満たす、電界効果型トランジスタ。 In/(In+Zn+X)=0.200〜0.600 (1) Zn/(In+Zn+X)=0.200〜0.800 (2)【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、 前記ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、 前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁膜があり、 前記半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、 前記半導体層の厚さが1nm以上15nm以下であり、ソース電極とドレイン電極との間が0.5μm以上50μm以下であり、 前記半導体層が、少なくともIn(インジウム)元素及びZn(亜鉛)元素、又はIn元素、Zn元素及び元素Xを含有し、In元素及びZn元素の含有率(原子比)が下記の(1)及び(2)を満たす、電界効果型トランジスタ。 In/(In+Zn+X)=0.200〜0.600 (1) Zn/(In+Zn+X)=0.200〜0.800 (2)
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
F-Term (43)：
5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN46 ,  5F110NN49
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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