アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西山恵三 , 内尾裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006226698
Publication number (International publication number)：2008053356
Application date： Aug. 23, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：

【課題】プロセスマージンが広く、特性に優れ、且つ信頼性の高い酸化物薄膜トランジスタを作成する。【解決手段】アモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、前記活性層を形成する工程は、導入酸素分圧が1×10-3Pa以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第2の工程と、を含む。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

In又はZnの少なくとも一方の元素を含むアモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、前記活性層を形成する工程は、導入酸素分圧が1×10-3Pa以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第2の工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23C 14/08 , C23C 14/54 , C23C 14/58 , H01L 21/363 , H01L 21/203

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , C23C14/08 K , C23C14/54 B , C23C14/58 A , H01L21/363 , H01L21/203 S

F-Term (59)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB10 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103HH01 , 5F103HH04 , 5F103HH05 , 5F103LL07 , 5F103NN04 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103RR04 , 5F103RR05 , 5F103RR07 , 5F110AA16 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN01 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326889 Applicant：科学技術振興事業団
アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2005003273 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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Cited by examiner (4)

発光装置及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325367 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体装置の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-361694 Applicant：三洋電機株式会社
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-068270 Applicant：新技術事業団

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