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J-GLOBAL ID:200903011828393810

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004351701
Publication number (International publication number):2005234534
Application date: Dec. 03, 2004
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】 露光量マージンが高く、解像性、ドライエッチング耐性にも優れたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)が、下記一般式(I)で表される構成単位(a1)と、前記一般式(I)の水酸基が、その水素原子が下記一般式(II)で表される酸解離性溶解抑制基(II)により置換されることによって保護されている構成単位(a2)と、前記一般式(I)の水酸基が、その水素原子が非環式の酸解離性溶解抑制基(III)により置換されることによって保護されている構成単位(a3)とを有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】【化2】【選択図】 なし
Claim (excerpt):
酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物であって、 前記樹脂成分(A)が、下記一般式(I)
IPC (3):
G03F7/039 ,  G03F7/033 ,  H01L21/027
FI (3):
G03F7/039 601 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
F-Term (19):
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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