半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996130659
Publication number (International publication number)：1997102544
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】タングステン等のリフラクトリ金属とアルミニウム等の金属配線との間の熱処理時における相互拡散に起因する配線抵抗,コンタクト抵抗の上昇や接合リークの発生を防止する。【解決手段】タングステン膜3bの表面を550°C以下で窒素を含むガスのプラズマにさらすことにより、タングステン膜3bの表面付近の領域に窒素原子とタングステン原子とが結合した構造を有する窒化タングステン層3eを形成する。その後、タングステン膜3bの上にアルミニウム合金膜3cを堆積して、金属配線3を形成する。プラズマ窒化で形成される窒化タングステン層3eにおいては、窒素原子とタングステン原子とが結合をしているので、他の金属原子の拡散を防止するバリア機能が大きく、かつ薄く形成できる。したがって、熱処理に起因する高抵抗合金層の形成や接合リークの発生を防止することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上及び半導体基板の表面付近の領域を含む領域の一部に設けられた導電層と、上記導電層の上に形成されたリフラクトリ金属膜と、上記リフラクトリ金属膜の上面の表面付近の領域に形成され窒素原子とリフラクトリ金属原子とが結合した構造を有する窒化金属層と、上記リフラクトリ金属膜の上に上記窒化金属層を介して形成され上記リフラクトリ金属と反応性のある金属材料からなる金属配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/90 D , H01L 21/88 B , H01L 21/90 B , H01L 29/78 301 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平2-045958
特開昭61-222132
バリアメタル皮膜の窒化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-172175 Applicant：株式会社日立製作所

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