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J-GLOBAL ID:200903012244510098

電界発光素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997211241
Publication number (International publication number):1999040371
Application date: Jul. 23, 1997
Publication date: Feb. 12, 1999
Summary:
【要約】【課題】 リソグラフィ工程に伴う電極材料の劣化や有機EL層の劣化を防止してダークスポットの発生を抑え、高寿命な電界発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 有機EL層13上に、MgInでなる第1金属膜14を3nm〜5nm程度の膜厚に蒸着し、その上にAl、Crなどのドライエッチング可能な第2金属膜15を蒸着して積層する。第2金属膜15の上にフォトレジスト16をパターニングして、ドライエッチングを行って第1金属膜14を露出させる。次ぎに、02アッシングを行って、露出部分の第1金属膜14を酸化して高抵抗化させ、実質的に第1金属膜14のパターニングを行う。このように、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、カソード電極をパターニングできるため、微細なカソード電極を形成することが可能となる。このとき、リソグラフィ工程での現像液や水分が第1金属膜14や有機EL層13へ到達しないため、特性の良好な高寿命な電界発光素子10を実現することができる。
Claim (excerpt):
有機EL層の両面に電極が設けられた電界発光素子であって、前記有機EL層の一方の面に設けられた前記電極が、当該有機EL層に接合する第1金属膜と、前記第1金属膜より上に積層されるドライエッチング可能な第2金属膜と、を備えることを特徴とする電界発光素子。
IPC (2):
H05B 33/26 ,  H05B 33/10
FI (2):
H05B 33/26 ,  H05B 33/10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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