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J-GLOBAL ID：200903012303704020

有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

Inventor：
東海林 弘

About 東海林 弘

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長崎 義和

About 長崎 義和

, 
渋谷 忠夫

About 渋谷 忠夫


Applicant, Patent owner：
出光興産株式会社

About 出光興産株式会社


Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000363771
Publication number (International publication number)：2002170666
Application date： Nov. 29, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：
【要約】【課題】 定電流駆動による電圧上昇が極めて小さいとともに、耐熱性に優れた長寿命の有機EL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 陽極層と陰極層との両電極層間に、少なくとも発光層を含む有機層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、陽極層の表面を誘導結合型RFプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置により逆スパッタ処理して、XPSによって測定される陽極層の表面におけるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅〔In3d5/2〕hと、陽極層の内部におけるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅〔In3d5/2〕nとの比率(〔In3d5/2〕h/〔In3d5/2〕n)を0.9〜1.2の範囲内の値とする。
Claim (excerpt)：
陽極層と陰極層との両電極層間に、少なくとも発光層を含む有機層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記陽極層の表面におけるX線光電子分光法によって測定されるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕hとし、陽極層の内部におけるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕nとしたときに、当該半値幅の比率(〔In3d5/2〕h/〔In3d5/2〕n)を0.9〜1.2の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (4)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26
FI (4)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/26 Z
F-Term (10)：
3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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