薄膜トランジスタの製法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：清原義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006236828
Publication number (International publication number)：2008060419
Application date： Aug. 31, 2006
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：

【課題】酸化物半導体薄膜層上に絶縁膜を形成した積層構造において、該酸化物半導体薄膜表面の構成元素の脱離や還元による欠陥の増大を抑制する。それにより、リーク電流の増大等の弊害を抑制することができる薄膜トランジスタの製法を提供することを解決課題とする。加えて、酸化物半導体薄膜層とゲート絶縁膜の界面特性を良好にする。それにより、リーク電流がさらに抑制された、信頼性に優れた薄膜トランジスタの製法を提供することも解決課題とする。【解決手段】基板上に酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を形成する工程と、該酸化物半導体薄膜層上に第一絶縁膜を形成する工程と、該第一絶縁膜上に第二絶縁膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製法において、前記第二絶縁膜を成膜する前に、第一絶縁膜を酸化することを特徴とする薄膜トランジスタの製法である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を形成する工程と、該酸化物半導体薄膜層上に第一絶縁膜を形成する工程と、該第一絶縁膜上に第二絶縁膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製法において、前記第二絶縁膜を成膜する前に、第一絶縁膜を酸化することを特徴とする薄膜トランジスタの製法。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (7)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 618B , H01L29/78 627B , H01L29/78 619A , H01L21/28 301B , H01L21/283 B , H01L29/58 G

F-Term (46)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (4)

電界効果型トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325369 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
発光装置及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325367 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-110059 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

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