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J-GLOBAL ID：200903012851007656
炭素膜形成方法並びにその装置
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩谷 龍
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002314895
Publication number (International publication number)：2004149838
Application date： Oct. 29, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：
【課 題】本発明は、例えば工具、摺動部品、精密・電子機器部品等のみならず、柔軟性のある有機材料系基材等の種々の基材に対して高い密着性を有する炭素膜の形成方法並びその装置、そしてこの方法を用いて得られる炭素膜及びその炭素膜を被覆された製造物の提供を目的とする。【解決手段】真空減圧下で炭素膜を基材上に気相成長させる方法であって、蒸発炭素質材料を基材表面に付着させる際に、ガスクラスターイオンとモノマーイオンの混合イオンビームを連続的又は断続的に照射することを特徴とする炭素膜形成方法並びにその方法を実施するための装置。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
真空減圧下で炭素膜を基材上に気相成長させる方法であって、蒸発炭素質材料を基材表面に付着させる際に、ガスクラスターイオンとモノマーイオンの混合イオンビームを連続的又は断続的に照射することを特徴とする炭素膜形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C14/32 G
, C23C14/06 F
4K029AA11
, 4K029BA34
, 4K029BC00
, 4K029BD00
, 4K029BD03
, 4K029BD04
, 4K029BD05
, 4K029CA07
, 4K029CA09
, 4K029CA11
, 4K029DA04
, 4K029DB01
, 4K029DB02
, 4K029DB07
, 4K029DD03
, 4K029DE02
, 4K029EA05
Cited by examiner (3)
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炭素系硬質膜の形成方法並びにその装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-334277
Applicant：株式会社野村鍍金
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薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-096124
Applicant：日新電機株式会社
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硬質炭素被膜及びその形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-095514
Applicant：三洋電機株式会社
Article cited by the Patent：
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