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J-GLOBAL ID：200903012926170272

不揮発性半導体記憶装置の製造方法

Inventor：
大谷 敏晴

About 大谷 敏晴


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997194393
Publication number (International publication number)：1999040681
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 トンネル酸化膜に形成されるトラップサイトの発生を抑制することでメモリセルトランジスタのサイクル寿命の向上を可能とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】 フローティングゲート13とコントロールゲートとの間に形成されるトンネル酸化膜は、少なくとも減圧CVD法により化学気相成長させたCVD酸化膜から成り、当該CVD酸化膜をN2O、NO、NH3を含む窒化雰囲気中で熱処理する工程を有するものである。
Claim (excerpt)：
一導電型の半導体基板上に形成されるフローティングゲートと、このフローティングゲートを被覆する絶縁膜と、この絶縁膜を介して前記フローティングゲートの一端部上に重なるように形成されるコントロールゲートと、前記フローティングゲート及び前記コントロールゲートに隣接する前記半導体基板の表面に形成される逆導電型の拡散領域とを備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記絶縁膜は、少なくとも減圧CVD法により化学気相成長させたシリコン酸化膜から成り、当該酸化膜を窒化雰囲気中で熱処理を行う工程を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115
FI (3)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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