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J-GLOBAL ID：200903013054252323

半導体装置および半導体発光素子

Inventor： 橋本 茂樹 ,  簗嶋 克典 ,  池田 昌夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999041708
Publication number (International publication number)：2000244070
Application date： Feb. 19, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、ヘテロ界面を横切って電流が流れやすくし、伝導性の向上を図る。【解決手段】 互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、そのヘテロ界面に、バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層または組成傾斜層を挿入する。GaN系半導体レーザでは、n型GaNコンタクト層4とn型AlGaNクラッド層6とのヘテロ界面にn型AlGaN/GaN超格子層5またはn型AlGaNグレーディッド層を挿入し、p型AlGaNクラッド層11とp型GaNコンタクト層13とのヘテロ界面にp型AlGaN/GaN超格子層12またはp型AlGaNグレーディッド層を挿入する。

Claim (excerpt)：

互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を少なくとも一つ有する半導体装置において、上記ヘテロ界面に、上記バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層が挿入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

F-Term (20)：

5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB09 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-142224   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244497   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-199390   Applicant：富士通株式会社
• n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227679   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-223322   Applicant：三洋電機株式会社