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J-GLOBAL ID：200903040616226280

窒化ガリウム系化合物半導体装置

Inventor：
狩野 隆司

About 狩野 隆司


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997223322
Publication number (International publication number)：1999068158
Application date： Aug. 20, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 この発明は、格子定数や熱膨張率差による歪みが原因とされるクラックや欠陥の発生を防止し、膜厚の厚い窒化ガリウム系半導体層を形成できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明の窒化ガリウム系化合物半導体装置は、n型GaN膜からなるコンタクト層4と、n型AlyGa1-yN膜からなるクラッド層5の間にn型GaN膜とAlyGa1-yN膜の組成をそれぞれ有するクラック防止バッファ層5を介在させた。
Claim (excerpt)：
第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、この第1の窒化ガリウム系化合物半導体層とは組成の異なる第2の窒化物ガリウム系半導体層との間に第1及び第2の窒化ガリウム系化合物半導体層の組成をそれぞれ有するバッファ層を介在させたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-305281   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227679   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • レーザダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-250912   Applicant：松下電器産業株式会社
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