3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995189337
Publication number (International publication number)：1997036429
Application date： Jul. 25, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】均一で歩留りの高い3-5族化合物半導体薄膜を製造できる3-5族化合物半導体の製造方法、特に発光素子として用いたときに発光状態が均一で歩留りの高い発光素子を得ることができる発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体の第1の層を気相成長し、次に一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の層を気相成長して3-5族化合物半導体を製造する方法において、第1の層を成長した後、第2の層の成長前に3族原料を供給しないで、キャリアガスを供給するかまたはキャリアガスと5族原料を供給する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体の第1の層を気相成長し、次に一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の層を気相成長して3-5族化合物半導体を製造する方法において、第1の層を成長した後、第2の層の成長前に3族原料を供給しないで、キャリアガスを供給するかまたはキャリアガスと5族原料を供給する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

青色発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-114544 Applicant：日亜化学工業株式会社
青色発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-114542 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-009516

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